（1935-  ）

　　郑有炓  半导体材料与器件物理专家。男，福建大田人，1935年9月出生，汉族。1957年，毕业于南京大学物理系。2003年，当选为中国科学院院士。南京大学教授、博士生导师。曾任国家重点基础研究发展计划信息科学领域专家咨询组成员、国家自然科学基金委员会信息科学部专家咨询委员会委员、美国纽约州立大学(布法罗)访问教授。曾荣获国家科委国家高技术“863”计划先进工作者、江苏省优秀教育工作者、江苏省优秀科技工作者等称号。享受国务院政府特殊津贴。

　　郑有炓长期从事新型半导体异质结构材料与器件物理研究。在锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构研究中，发展了生长锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构材料的光辐射加热方法和新技术。基于锗硅、Ⅲ族氮化物极化能带工程，发展了多种新器件。提出并实现了铁电体/氮化镓、铁磁体/半导体异质结构新体系。发现锗硅合金应变诱导有序化新结构，提出新模型。揭示Ⅲ族氮化物异质结构极化、二维电子气及其相关性质。观测到碲化镉/锑化铟异质结构二维电子气及占据子带规律，开拓II-VI/III-V族异质体系二维电子气研究领域。提出基于锗硅技术实现二氧化硅/硅界面量子限制硅纳米结构。

　　领导创建半导体异质结构研究实验室,主持多项国家重大科研任务,多次获省部级以上科研成果奖。其中，《InP-MIS界面与InP-MIS晶体管研究》，1988年获江苏省科技进步三等奖。《聚合物半导体薄膜及其应用的基础研究》，1989年获江苏省科技进步三等奖。《半导体变频C-V/G-V方法和VFC-1型微机变频C-V测试系统》，1990年获江苏省科技进步三等奖，1992年获国防科工委光华科技基金一等奖。20世纪90年代以来，郑有炓教授还获得三项国家发明专利。2004年，《新型半导体异质结构和器件物理研究》获得国家自然科学二等奖。迄今发表论文356篇,SCI收录155篇，SCI引用论文437篇。

　　在开展科学研究的同时，郑有炓从未间断过教书育人的工作。多年来，指导培养出年轻教授6人，包括长江特聘教授1人，博士生导师6人，国家杰出青年基金获得者3人，形成了一支结构合理的学术研究梯队。培养了一大批高质量的硕士、博士研究生，其中，一人获2001年度全国优秀博士学位论文奖。